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の一般的なテクニック マグネトロンスパッタリング
DC マグネトロン スパッタリング: DC 二次スパッタリングに基づいて、DC マグネトロン スパッタリングは、ターゲットの背後にある磁性鋼を保護するために使用されます。導電性フィルムのスパッタリングと堆積に使用でき、堆積速度は高速です。
しかし、ターゲットが絶縁体の場合、ターゲットの表面電荷が急激に蓄積し、スパッタリングができなくなります。そのため、SUS、Ag、Cr、Cuなどの純金属ターゲットのスパッタリングには、DCマグネトロンスパッタリングが採用されています。
中間周波数マグネトロン スパッタリングは、金属酸化物、炭化物などの反応性スパッタリングに一般的に使用されます。原子は一緒に基板上に堆積します。
見つけにくいブロック材料で作られたコーティングまたはセラミック ターゲットの場合、膜組成は、スパッタリング後に元のターゲット組成から容易に逸脱します。これは、反応性蒸着によっても改善できます。
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